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SK海力士宣布全球率先量产12层HBM3E芯片
来源：IT之家 作者：
佚名
2024-09-26 09:46:43
9月26日消息，SK海力士今日宣布，公司全球率先开始量产12层HBM3E芯片，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量;公司将在年内向客户提供此次产品。
9月26日消息，SK海力士今日宣布，公司全球率先开始量产12层HBM3E芯片，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量;公司将在年内向客户提供此次产品。
受此消息影响，SK海力士股价在韩国涨超8%，市值超过120.34万亿韩元(IT之家备注：当前约6351.55亿元人民币)。
据介绍，SK海力士还堆叠12颗3GBDRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。为此，公司将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。
此外，SK海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进MR-MUF工艺应用到此次产品中，散热性能较上一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保稳定性和可靠性。
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