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韩国半导体厂商研发 ALD 新技术,降低 EUV 工艺步骤需求
来源:IT之家  作者: 佚名 2024-07-16 11:09:48
7月16日消息,韩媒TheElec报道,韩国半导体公司周星工程(JusungEngineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术,可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。

7月16日消息,韩媒TheElec报道,韩国半导体公司周星工程(JusungEngineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术,可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。

极紫外光刻(EUV)又称作超紫外线平版印刷术,是一种使用极紫外光波长的光刻技术,目前用于7纳米以下的先进制程,于2020年得到广泛应用。

周星工程董事长ChulJooHwang表示当前DRAM和逻辑芯片的扩展已达到极限,因此需要像NAND一样,通过堆叠晶体管的方式克服这个问题。

半导体行业如果想要把晶体管微缩到更小尺寸,一种方案就是堆叠晶体管,其中一个佐证是深紫外线(DUV)设备有望用于生产3DDRAM。

Hwang说,随着堆叠变得越来越重要,ALD机器的需求也将增加。III-V和IGZO半导体的生产也需要ALD设备。

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编辑:乔帅臣
关键词:   半导体  芯片  韩国 
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