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极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本
来源:财联社  作者: 佚名 2024-08-02 07:50:37
据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。

据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。

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编辑:乔帅臣
关键词:   半导体  极紫外光刻  日本 
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