2015 年 4 月，借助纳米立方技术与亚铁酸钡磁带媒介，IBM 和富士通联手为公众展示了如何在 220 TB 的磁带中实现每平方英寸 1,230 亿比特的磁带密度。

IBM 的磁带密度记录发展历程

此次，IBM 的磁带驱动器研发人员借助索尼的存储媒介解决方案及溅射媒介技术再次刷新了磁带密度记录。工程开发测试显示，IBM 的磁带产品可实现每平方英寸 201 GB 的存储密度。

具体所用的技术包括：

△新的数据通道信号处理算法，该算法以噪音预测型侦测原理为基础，借助超窄型 48 纳米隧道磁电阻 (TMR) 读取器，可实现每英寸 81.8 万比特线性密度的可靠运算。

△一系列组合式高级伺服控制技术，这些技术可实现精度超过 7 纳米的磁头定位。

△采用 48 纳米宽的 TMR 硬盘驱动器读磁头，可实现每英寸 246,200 个磁轨的磁轨密度，相比 TS1155 磁带驱动器，磁轨密度提升了 13 倍。

△新的低摩擦磁带头技术，该技术使得超平滑磁带媒介的使用成为可能。

一般来说，溅射工艺的原理是使用高能粒子(例如非反应性氩气离子)对目标材料进行轰击，进而将原子从靶源剥离，然后积淀在基底上。该工艺在一个真空室内完成，从靶源喷射的原子需要吸附到基底等载体上，确保重新达到热力学平衡。

IBM 科学家、马克·兰特斯(MarkLantz)博士，他手上拿着的是一平方英寸规格的原型磁带。

‍‍‍‍‍‍就 IBM 的最新磁带产品具体来说，所用的溅射工艺是采用溅射积淀的方法在磁带基底上形成 IBM 所谓的纳米颗粒磁性层。

IBM 院士 Evangelos Eleftheriou 曾在录制某档节目时介绍说，“尽管相比目前使用亚铁酸钡 (BaFe) 制造的商业磁带产品，溅射磁带的成本略高，但它在容量方面的潜力非常大，单位 TB 的存储成本会因此而降低，因此非常适于在云端的冷存储中使用。”

蓝色巨人IBM这一技术的出现预示着磁带技术路线图在未来 10 年里必定会稳步发展。同时，我们也有信心在未来的 8 到 9 年里，将 LTO Ultrium 的容量路线图突破至 LTO-12 及 190+ TB。我们将继续担负起探路者的角色，磁带技术的明天必定更加精彩!‍‍‍‍‍‍