报道称三星HBM3e芯片通过英伟达测试 - ENI文章 - ENI经济和信息化网

当前位置：首页 >文章发布 > 正文

报道称三星HBM3e芯片通过英伟达测试

来源：IT 之家作者：沛霖 2024-07-04 09:17:10

7月4日消息，韩媒 NewDaily 报道称，三星电子通过了英伟达的 HBM3e(高带宽内存)质量测试。三星即将开始大规模生产 HBM 内存芯片，并就供应问题与英伟达展开谈判。

三星电子最近收到了来自英伟达的 HBM3e 质量测试 PRA(产品准备批准)通知。这是三星应英伟达要求，派遣负责 HBM 内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。

此前报道，今年 3 月，英伟达 CEO 黄仁勋表示已经开始验证三星的 HBM 内存芯片。5 月有消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试。黄仁勋在 2024 台北国际电脑展上，表示仍在认证三星公司的 HBM 内存，否认三星 HBM 未通过任何英伟达测试。

外媒称，三星迫切需要向英伟达供应 HBM，通过英伟达测试意味着从下半年开始，HBM 的业绩可能实现“飞跃”。受此消息影响，三星电子股价 7 月 4 日上涨 3.6%，达到 4 月 12 日以来的最高点;SK 海力士(英伟达 HBM 内存的主要供应商之一)股价下跌 4.7%，创 6 月 24 日以来最大跌幅。

免责声明：本文系网络转载，版权归原作者所有。本文所用图片、文字如涉及作品版权问题，请联系删除！本文内容为原作者观点，并不代表本网站观点。

编辑：刘婧

关键词：芯片 HBM3e芯片三星英伟达