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消息称SK海力士HBM4内存使用台积电N5版基础裸片
来源：IT之家 作者：
佚名
2024-07-17 10:35:16
7月17日消息，《韩国经济日报》(Hankyung)表示，SK海力士将采用台积电N5工艺版基础裸片(BaseDie)构建HBM4内存。
7月17日消息，《韩国经济日报》(Hankyung)表示，SK海力士将采用台积电N5工艺版基础裸片(BaseDie)构建HBM4内存。
新一代HBM内存HBM4的JEDEC标准即将定案。而根据此前报道，SK海力士的首批HBM4产品(12层堆叠版)有望于2025年下半年推出。
SK海力士和台积电双方于今年4月签署了合作谅解备忘录，宣布将就HBM内存的基础裸片加强合作。
而台积电在2024年技术研讨会欧洲场上表示，该企业准备了两款HBM4内存基础裸片，分别为面向价格敏感性产品的N12FFC+版和面向高性能应用的N5版。
其中N5版基础裸片面积仅有N12FFC+版的39%，同功率下逻辑电路频率可达N12FFC+版的155%，同频率功耗则仅有35%。
N5工艺版基础裸片可实现6~9μm级别的互联间距，在目前流行的2.5D式封装集成外还能支持HBM4内存同逻辑处理器的3D垂直集成。这一纵向结构可提供更大的内存带宽，将深远改变HPC&AI芯片生态。
HBM内存基础裸片转由逻辑晶圆厂生产也是半导体制造两大领域走向融合的最好证明。韩媒在报道中提到，SK海力士和三星电子均正为其HBM内存团队补充逻辑设计人才。
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编辑：乔帅臣
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